フラッシュメモリは、データを書き込んだり読み出したりすることができる記憶装置の一種です。1987年に東芝によって開発されました。 電源を切っても記憶を失わないという特徴がある一方で、データの消去を一瞬で行えるという特徴も持っていること ...

3D XPoint(スリーディークロスポイント)メモリの正体がついに明らかになった。記憶素子技術は「相変化メモリ」、セル選択スイッチ(セレクタ)技術は「オボニックスイッチ」である。といっても、3D XPointメモリを共同開発したIntelとMicron Technologyの公式発表で ...

マイクロコントローラ（以下マイコン）の世界的リーダーであるSTマイクロ エレクトロニクス（NYSE: STM、以下ST）は、新たな機能による価値創出により 製品差別化を追求する顧客ニーズをサポートするため、「STM32バリュー・ライン」 に 大容量Flashメモリを ...

フラッシュメモリとその応用に関する世界最大のイベント「Flash Memory Summit 2009」が8月11日～13日に米国カリフォルニア州のシリコンバレーで開催される。「Flash Memory Summit」は毎年8月にシリコンバレーで開かれており、講演会と展示会で構成される。NAND ...

データを読み書きする速度において一般的にはHDDを上回るSSD。その内部に搭載するNAND型フラッシュメモリにおいては、どのような技術の進化が起きているのか。 企業向けのストレージとしてSSDの利用が広がる大きな理由は、一般的にはデータを読み書き ...

NAND型フラッシュメモリは、不揮発性の記憶装置である「フラッシュメモリ」の一種です。フラッシュメモリは、電源を切っても記憶を保持することが可能、小型軽量、振動や衝撃に強い、動作音もなく、消費電力が低い、といった利点がある記憶装置です。

各種デバイスや外付けのストレージなど、さまざまな用途に使われているフラッシュメモリは「NAND型フラッシュメモリ」と「NOR型フラッシュメモリ」の2種に分類できる。この2種は何が違い、それぞれ何が期待できるのかをごく簡単に解説する。 フラッシュ ...

フラッシュメモリーとRAMを組み合わせ、最大1Gbitまで対応。 同社では、今年後半には、1個のセルに2bitのデータを格納できる多値セル技術を採用した“Intel StrataFlash”メモリーのサンプル出荷を開始する予定。 512MbitのスタックドCSPで提供するとしている。

STマイクロエレクトロニクス（NYSE: STM、以下ST）は、ARM(R) Cortex(R)-M3 搭載の 超低消費電力32bitマイクロコントローラ（マイコン）であるSTM32L1 シリーズに、512KBのFlashメモリを内蔵した新製品を追加しました。現在、同 シリーズは3つの製品ラインに70品種以上の ...

次世代28nmプロセス車載制御マイコンに向けて、さらなる大容量化、高速読み出し、およびOTA対応を実現するフラッシュメモリ技術を開発 ～マイコン内蔵フラッシュメモリとして世界最大の24MB、世界最速の240MHzランダムアクセスを達成～ ルネサス ...

サーベイレポート合同会社は、2025年11月に調査レポート「NANDフラッシュメモリ市場はタイプ別（シングルレベルセル、マルチレベルセル、トリプルレベルセル、クアッドレベルセル、ペンタレベルセル）、アプリケーション別（カメラ、ラップトップとPC ...