3D XPoint(スリーディークロスポイント)メモリの正体がついに明らかになった。記憶素子技術は「相変化メモリ」、セル選択スイッチ(セレクタ)技術は「オボニックスイッチ」である。といっても、3D XPointメモリを共同開発したIntelとMicron Technologyの公式発表で ...

NAND型フラッシュメモリは一般的に、メモリセルにある「フローティングゲート」（浮遊ゲート）という電荷保持領域を使用して、データを格納する。ベンダーの中には耐久性と拡張性を高めようと、フローティングゲートとは別の手段で電荷を保持する ...

東芝とSanDiskは、30nmと微細なプロセスによるフローティングゲート(FG)型NAND型フラッシュメモリセルを共同で試作し、その評価結果をIEDM 2008で明らかにした(講演番号34.1)。シングルレベルセル(SLC)で32Gビット、マルチレベルセル(MLC)で64Gビット以上の大容量NAND ...

インテル NAND事業部リサーチサイエンティストの作井康司氏 「MemCon Tokyo 2007」のフラッシュメモリ関連では、NAND型フラッシュメモリを内蔵した外部記憶装置の講演が非常に興味深かった。IntelによるNAND型フラッシュおよびSSDの講演と、ソニーによる業務用 ...

（東京）-（ビジネスワイヤ） -- キオクシア株式会社は、3次元フラッシュメモリにおける円型メモリセルのゲート電極を分断して半円型にすることでセルサイズを縮小し、高集積化を実現するセル構造「Twin BiCS FLASH」を開発しました。セルの設計において ...

フラッシュメモリ業界は、密度、レイテンシ(遅延時間)、フォームファクターにおいて革新的なイノベーションを継続的に生み出してきた。特に直近の10年間は革新的なフラッシュメモリ技術が導入された期間でもある。3次元メモリアレイ(図3)、高速DDR ...

ルネサスエレクトロニクスは、回路線幅が16／14nm（ナノメートル）世代以降のフラッシュメモリ内蔵マイコン向けにフィン構造の立体トランジスタを採用したSG-MONOSフラッシュメモリセルの開発に世界で初めて成功した。 SG-MONOS技術は、車載応用可能な信頼 ...

調査対象: 当社は、あらゆる規模の536の市場プレーヤーに対して調査を実施しました。 有効な回答の数: 536 調査方法: 実地調査 224、インターネット調査 312 調査回答者： 調査は、収益に基づいて企業を対象に実施されました。 調査結果： 質問: NAND ...

サーベイレポート合同会社は、2025年11月に調査レポート「NANDフラッシュメモリ市場はタイプ別（シングルレベルセル、マルチレベルセル、トリプルレベルセル、クアッドレベルセル、ペンタレベルセル）、アプリケーション別（カメラ、ラップトップとPC ...

上海の復旦大学に所属する研究チームが、フラッシュメモリのデータ読み書き性能をピコ秒(1兆分の1秒)レベルまで高めたメモリデバイスを開発しました。「PoX」と名付けられたデバイスは400ピコ秒でのスイッチングが可能となっており、従来の世界記録を ...