NAND型フラッシュメモリは一般的に、メモリセルにある「フローティングゲート」（浮遊ゲート）という電荷保持領域を使用して、データを格納する。ベンダーの中には耐久性と拡張性を高めようと、フローティングゲートとは別の手段で電荷を保持する ...

インテル NAND事業部リサーチサイエンティストの作井康司氏 「MemCon Tokyo 2007」のフラッシュメモリ関連では、NAND型フラッシュメモリを内蔵した外部記憶装置の講演が非常に興味深かった。IntelによるNAND型フラッシュおよびSSDの講演と、ソニーによる業務用 ...

東芝とSanDiskは、30nmと微細なプロセスによるフローティングゲート(FG)型NAND型フラッシュメモリセルを共同で試作し、その評価結果をIEDM 2008で明らかにした(講演番号34.1)。シングルレベルセル(SLC)で32Gビット、マルチレベルセル(MLC)で64Gビット以上の大容量NAND ...

ルネサスエレクトロニクスは、回路線幅が16／14nm（ナノメートル）世代以降のフラッシュメモリ内蔵マイコン向けにフィン構造の立体トランジスタを採用したSG-MONOSフラッシュメモリセルの開発に世界で初めて成功した。 SG-MONOS技術は、車載応用可能な信頼 ...

フラッシュメモリ業界は、密度、レイテンシ(遅延時間)、フォームファクターにおいて革新的なイノベーションを継続的に生み出してきた。特に直近の10年間は革新的なフラッシュメモリ技術が導入された期間でもある。3次元メモリアレイ(図3)、高速DDR ...

NANDフラッシュメモリの歴史を代表する人物とは、フラッシュメモリ応用製品の開発企業として知られるSanDiskの共同創業者兼元CEO(最高経営責任者)の、Eli Harari氏である(論文集1ページ～4ページ)。Harari氏は1988年にSunDisk(その後、社名をSanDiskに変更)を設立し ...

1つのメモリセルに4bitのデータを保持できる「QLC」（Quad Level Cell）方式のNAND型フラッシュメモリの開発は、NAND型フラッシュメモリ分野における最先端の動きだ。QLC方式は、それ以前の方式と比べて容量が大幅に増大する。その半面、複雑性が生じる。

サーベイレポート合同会社は、2025年11月に調査レポート「NANDフラッシュメモリ市場はタイプ別（シングルレベルセル、マルチレベルセル、トリプルレベルセル、クアッドレベルセル、ペンタレベルセル）、アプリケーション別（カメラ、ラップトップとPC ...