Shigeki Sakai (Leader) and others of Ferroelectric Memory Group, the Nanoelectronics Research Institute (Director: Seigo Kanemaru) of the National Institute of Advanced Industrial Science and ...
キオクシアとWestern Digital(以降はWDと表記)は、共同で開発した超高速3D NANDフラッシュメモリ技術「XL-FLASH」の概要を半導体回路技術の国際学会ISSCC 2020(2020年2月16日～20日に米国サンフランシスコで開催)で2020年2月18日に公表した(講演番号13.5)。 3D NANDフラッシュ ...
3D NANDフラッシュ(3次元構造のNANDフラッシュメモリ)の大容量化が、一段と進展する可能性が見えてきた。米国カリフォルニア州モントレーで開催中の国際学会「国際メモリワークショップ(2017 IEEE 9th International Memory Workshop(IMW 2017))」のチュートリアルで2017年5 ...
独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】（以下「産総研」という）ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】強誘電体メモリグループ 酒井 滋樹 研究グループ長らは、国立大学法人 東京大学（以下「東大」という）大学院 工学 ...
Spansionは26日、都内で記者会見を開き、同社が2007年11月に初めて発表し、2008年8月にSemiconductor Manufacturing International(SMIC)に生産委託を行うことを発表した同社のNAND型フラッシュメモリ「MirrorBit ORNAND2」に関する説明を行った。 同社は独自のチャージ ...
第2回目の連載では、コンピュータ内のフラッシュメモリの使われ方について基礎を解説しました。今回は、データセンターで使われるサーバーにおけるフラッシュメモリの使われ方やサーバー自体の進化の道をたどりながら、現代のビジネスに求められる ...
NANDフラッシュ等不揮発性メモリ市場をターゲットとした3つの新製品を発表 株式会社アドバンテスト（本社:東京都千代田区社長:吉田芳明、以下「当社」）は、NANDフラッシュを含む不揮発性メモリ・デバイスのテスト・コストと設備所有コストを削減可能な3 ...
Sun Storage F5100 Flash Arrayは転送速度12.8Gbps。最大2TバイトまでSSDを搭載できる。 米Sun Microsystemsは10月12日、フラッシュメモリストレージ「Sun Storage F5100 Flash Array」を発表した。Oracle DatabaseおよびMySQLでのワークロード高速化を目指して設計されているという。
米Pure Storage（以下、ピュア・ストレージ）は現地時間17日、オールフラッシュアレイの新機種「FlashArray//C」を発表した ...
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