東芝は18日、32nmプロセス世代以降のLSIでの適用が検討されている立体構造トランジスタ(FinFET)の電流性能向上と低消費電力化を両立させる手法を開発したと発表した。 開発された手法は、従来のトランジスタの性能向上に用いられる「歪みSiチャネル技術 ...

ではSC1.1の話に移りたい。最初にCMOSスケーリングやPlaner/FinFETのスライドが十数枚続くがこれは割愛して、GAA世代の話である ...

FinFETの発明が日本人って知ってるかい？ 2年くらい続いた半導体不足がさまざまな産業に影響を与えたせいか、半導体の専門用語であるFinFETという言葉を専門家ではない方たちまでが使うようになってきた。このFinFETとは、半導体集積回路（IC）の基本 ...

半導体研究機関であるベルギーimecは、米サンフランシスコで開催された半導体デバイスの国際会議「IEDM 2018」にて、FinFET構造の延命に向け、FinFETの積層構造技術に関する研究結果を発表した。 この積層技術は「Sequential-3D integration(S3D)」と呼ばれるもので ...

FD SOIへの自信を示したMWC2013でのSTマイクロエレクトロニクス インテルは22nm FinFETプロセスで製造した高性能マイクロプロセッサHaswellなどを1億個出荷したと言ってきた。ところが、その次の14/16nm FinFETプロセスでは生産を遅らせるという決定を最近行ったようだ ...

5nmプロセス世代のトランジスタは、現在とは大きく構造が変わる可能性がある。現在のトランジスタは、魚のフィン(ヒレ)を立てたような「FinFET」を使っている。しかし、5nm以降のプロセスでは、細いチューブを縦に並べたような「Nanowire(ナノワイヤ)」や ...

GLOBALFOUNDRIESとサムスンが提携。 資料は4月22日に国内で行われたGLOBALFOUNDRIESの記者説明会の資料より抜粋（以下同） 当初提供されるのは14nmのDual Gate FinFETを利用した14nm LPEというプロセスであり、20％高い性能、もしくは35％低い消費電力を提供するという。

テストチップの読取およびプログラム機能の実証に成功。FinFETに実装した1T-Fuse(TM)セル向けに優れたプログラム済みセル特性を発揮。 OTTAWA, ONTARIO, Sept 5, 2014 - ( JCN Newswire ) - 不揮発性メモリOTP IPコアの大手開発会社のSidense Corp.は、16nm CMOS FinFETプロセスで製造 ...

NXPとTSMC、16nm FinFETを使用した業界初の車載用組み込みMRAMの提供へ NXPとTSMCが、TSMCの16nm FinFETテクノロジを使用した組み込みMRAM IPを共同開発 MRAMにより、自動車メーカーは新機能の導入の効率化、OTA（Over-The-Air）アップデートの高速化、生産ボトル ...

FinFET技術市場は、半導体設計の急速な進展、高性能コンピューティングに対する需要の拡大、そして先端ノード製造への世界的な移行を背景に、変革期に突入しています。 FinFET技術市場規模は2024年に485.6億米ドルと評価され、2025年から2032年の予測期間に ...

AMDは、FinFETプロセス世代では、GLOBALFOUNDRIESの14nmプロセス「14LPP」をGPUやAPUに採用する。Radeon RX 480(Polaris 10)がAMDにとって最初の14LPP製品となる。GLOBALFOUNDRIESの14LPPは、Samsungとの技術提携によるプロセスで、同じPDKを使う互換プロセスだ。AMDはFinFET世代のGPU開発 ...

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「フィン型電界効果トランジスタ（FinFET）の世界市場2025年」調査資料を発表しました。資料には、フィン型電界効果トランジスタ（FinFET）のグローバル市場規模 ...