産業技術総合研究所(産総研)らによる研究グループは、Siに比べ高い移動度を有するIII-V族化合物半導体とGe をチャネルに採用した次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタを開発したことを発表した。従来のSiトランジスタでは性能向上に限界があり、200%以上の ...
株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、CMOSについて第一人者からなる「CMOSの基礎と活用のノウハウ・応用事例 ～デジタル系半導体製品はすべてCMOSからできている。
株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として ...
BHオフィス 代表大幸 秀成 氏（元 株式会社東芝）にご講演いただきます。 株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山 正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、CMOSについて第一人者からなる「CMOSの基礎と活用の ...
コンピュータの電力効率を高めるために何をすべきか? 1946年に完成したENIACでは1万7000本の真空管を使ったが、それらをつなぐため人手で500万カ所のはんだ付けを行ったという。集積回路の貢献は、1万7000本の真空管に相当するトランジスタを集積したことも ...
III-V族化合物半導体の高い移動度を利用した次世代CMOSトランジスタを実用化するための3つの基本技術である極薄チャネルの ...
高い移動度を有するIII-V族化合物半導体とゲルマニウム (Ge) をチャネルに採用した次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタを世界で初めて実現しました。従来のシリコン (Si) トランジスタでは性能向上に限界があり、200%以上の性能向上は困難でしたが、今回のIII ...
～従来比約2倍（※2）の飽和信号量（※3）によるダイナミックレンジ拡大とノイズ低減を実現～ ここに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。 検索日と情報が異なる可能性がございますので、あらかじめご了承ください。 ※1: 2021年12月16日広報 ...
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社は12月16日、世界初という2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術の開発に成功したと発表した。スマートフォン撮影などにおける“高画質化”の実現に寄与するものとしている。12月11日から開催 ...
開発したCMOSトランジスターのイメージ（図:Purdue University） 米Purdue Universityは、同大学の研究者がチャネルにゲルマニウム（Ge）を用いたCMOS（complementary metal-oxide-semiconductor）トランジスタを作製することに成功したと発表した。 Geトランジスタは、1947年に ...
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