米Intelは12月9日（現地時間）、「Intel Demonstrates Breakthroughs in Next-Generation Transistor Scaling for Future Nodes（Intelは将来のノードに向けた次世代トランジスタのスケーリングにおいて、画期的な成果を実証）」と題したページを公開し、公開中の開発ロードマップに ...

産業技術総合研究所(産総研)らによる研究グループは、Siに比べ高い移動度を有するIII-V族化合物半導体とGe をチャネルに採用した次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタを開発したことを発表した。従来のSiトランジスタでは性能向上に限界があり、200%以上の ...

November 11, 2022 -- Semiwise has developed transistor SPICE models based on the GlobalFoundries (GF) 22FDX ® Platform that enable cryogenic CMOS design and verification. Using its patented ...

Low power design has become a cornerstone of modern integrated circuit development, driven by energy efficiency demands and the challenges of scaling in nanometre technologies. Innovations in ...

III-V族化合物半導体の高い移動度を利用した次世代CMOSトランジスタを実用化するための3つの基本技術である極薄チャネルの ...

高い移動度を有するIII-V族化合物半導体とゲルマニウム (Ge) をチャネルに採用した次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタを世界で初めて実現しました。従来のシリコン (Si) トランジスタでは性能向上に限界があり、200%以上の性能向上は困難でしたが、今回のIII ...

～従来比約2倍（※2）の飽和信号量（※3）によるダイナミックレンジ拡大とノイズ低減を実現～ ここに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。 検索日と情報が異なる可能性がございますので、あらかじめご了承ください。 ※1: 2021年12月16日広報 ...

・「デジカメならでは」の活用法を分かりやすく提案 - ITmedia デジカメプラス キヤノンは、35mmフルサイズ4.1億画素のCMOSセンサーを開発した。超多画素でありながら撮影装置の小型化に寄与し、1秒間に32億8000万画素の超高速な信号読み出しができる。

開発したCMOSトランジスターのイメージ（図:Purdue University） 米Purdue Universityは、同大学の研究者がチャネルにゲルマニウム（Ge）を用いたCMOS（complementary metal-oxide-semiconductor）トランジスタを作製することに成功したと発表した。 Geトランジスタは、1947年に ...

NECエレクトロニクスは、65nmのテクノロジーノードを用いたCMOSトランジスタを開発した。同社が12月12日に明らかにしたもの。同トランジスタのゲート長は43nm。同社では「システムLSIで重要度が増す、高速動作と低消費電力の両立が可能になる」としている。