HS6601Lが、センサーに応じて、RELピンにHIGH、LOWを出力する RELピンがHIGHのときの最小電圧が2.25V RELピンがLOWのときの最大電圧 ...

今回はLTspiceシミュレーションを行います。 いきなり0から回路図を書くことは難しいので、 『 LTspiceシミュレーション実践入門 』 著：遠坂俊昭 という本の例題を再現したいと思います。 そもそもLTspiceとは 電子回路シミュレーションソフト 実際の製品回路 ...

III-V族化合物半導体の高い移動度を利用した次世代CMOSトランジスタを実用化するための3つの基本技術である極薄チャネルの ...

米Freescale Semiconductorは、自動車の衝突防止用レーダーのコストを現在の70%程度に低価格にできるレーダーに使うSiGe BiCMOS半導体チップ(バイポーラトランジスタとCMOSトランジスタを同時に集積させたIC)モジュールを開発、Freescale Technology Forum Japan(FTFJ)2009で発表 ...

高い移動度を有するIII-V族化合物半導体とゲルマニウム (Ge) をチャネルに採用した次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタを世界で初めて実現しました。従来のシリコン (Si) トランジスタでは性能向上に限界があり、200%以上の性能向上は困難でしたが、今回のIII ...

CMOS technology has dominated the IC business for the last 25 years and will continue to do so for another 25 years, according to the author of CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation. He explains ...

米Intelは12月9日（現地時間）、「Intel Demonstrates Breakthroughs in Next-Generation Transistor Scaling for Future Nodes（Intelは将来のノードに向けた次世代トランジスタのスケーリングにおいて、画期的な成果を実証）」と題したページを公開し、公開中の開発ロードマップに ...

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社は12月16日、世界初という2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術の開発に成功したと発表した。スマートフォン撮影などにおける“高画質化”の実現に寄与するものとしている。12月11日から開催 ...