産業技術総合研究所(産総研)らによる研究グループは、Siに比べ高い移動度を有するIII-V族化合物半導体とGe をチャネルに採用した次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタを開発したことを発表した。従来のSiトランジスタでは性能向上に限界があり、200%以上の ...

米Intelは12月9日（現地時間）、「Intel Demonstrates Breakthroughs in Next-Generation Transistor Scaling for Future Nodes（Intelは将来のノードに向けた次世代トランジスタのスケーリングにおいて、画期的な成果を実証）」と題したページを公開し、公開中の開発ロードマップに ...

III-V族化合物半導体の高い移動度を利用した次世代CMOSトランジスタを実用化するための3つの基本技術である極薄チャネルの ...

NECエレクトロニクスは、65nmのテクノロジーノードを用いたCMOSトランジスタを開発した。同社が12月12日に明らかにしたもの。同トランジスタのゲート長は43nm。同社では「システムLSIで重要度が増す、高速動作と低消費電力の両立が可能になる」としている。

次世代CMOSロジックは立体化と極薄チャンネル化で1nm時代へ 本コラムの前回でお伝えしたように、半導体のデバイス技術とプロセス技術に関する世界最大の国際学会「IEDM(International Electron Devices Meeting)(通常の呼称は「アイイーディーエム」、日本語の通称は ...

インテル(株)は12日、京都で14日まで開催中のVLSIシンポジウム“2003 Symposia of VLSI Technology and Circuits”に合わせ、東京と京都の2ヵ所でゲート長30nm(ナノ・メートル)の“トライ・ゲート・トランジスタ”やCMOS無線技術などの詳細発表を行なった。 “トライ ...

ソニーセミコンダクタソリューションズは、2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術の開発に成功した。スマートフォンのカメラなどでの高画質化に寄与する技術という。 世界初とされる同技術は、ダイナミックレンジ拡大とノイズ低減に寄与 ...

開発したCMOSトランジスターのイメージ（図:Purdue University） 米Purdue Universityは、同大学の研究者がチャネルにゲルマニウム（Ge）を用いたCMOS（complementary metal-oxide-semiconductor）トランジスタを作製することに成功したと発表した。 Geトランジスタは、1947年に ...

－大規模集積回路の大幅な低消費電力化に期待－ 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 安田 哲二】新材料・機能インテグレーショングループ 前田 辰郎 主任研究員ら ...

ソニーが今秋に投入したコンパクトデジタルカメラ「サイバーショットDSC-WX1」および「サイバーショットDSC-TX1」は、スチルカメラ初の裏面照射型CMOSセンサーを搭載したモデルとして話題になっている。開発に携わった半導体事業本部イメージセンサ事業部 ...

投稿件数は2年連続で過去最多を更新 半導体のデバイス技術とプロセス技術に関する世界最大の国際学会「IEDM(International Electron Devices Meeting、日本語の通称は「国際電子デバイス会議」)」が、米国カリフォルニア州サンフランシスコで始まった。技術講演会 ...

チップ上のトランジスタ数は限界に達しつつあります（出典：Intel） 1965年4月、米Electronics Magazine誌に掲載された1つの論文は、当時めざましい発展を遂げてつつあったシリコン半導体を用いるトランジスタの集積について、非常に興味深い内容となってい ...