図1.6 はCMOS Staticインバータの回路図である。電源Vddと出力Xの間にPMOS(P型MOSFET)トランジスタ"p1"があり、出力Xとグランド(接地)Vss の間にNMOS(N型MOSFET)トランジスタ"n1"がある。これらのトランジスタは一般には対称的に作られているが、動作上は、Vdd、および ...

「IEDM 2010」の最終日である12月8日のセッションが完了した。最終日には、高性能プロセッサの基礎技術である次世代CMOSロジックと、大容量メモリの基礎技術である次世代NANDフラッシュメモリの開発成果が披露された。各講演の概要をご報告したい。 22nm ...

This CMOS two-input combination NAND/NOR gate is a three-input, fourpin logic gate. A p-channel enhancementtype MOSFET (Q1) and an n-channel enhancement-type MOSFET (Q4) form one complementary ...

この下限の遅延時間はトランジスタのゲート入力容量とドレイン電流の比で決まる。 ITRS2004では2入力NANDゲートに同じゲート3個を負荷として接続した場合の遅延時間が示されており、90nmテクノロジでは約24ps、2007年の65nmテクノロジでは約16psとなっている。

3D NANDフラッシュメモリの高層化が止まらない。垂直に連なるセルトランジスタの積層数、あるいはワード線の積層数は最大で、176層に達した。一昨年(2019年)の春には最大で128層だったので、2年間で積層数は1.375倍に増加した。 3D NANDフラッシュメモリの高層 ...

Density and speed of IC’s have increased exponentially for several decades, following a trend described by Moore’s Law. While it is accepted that this exponential improvement trend will end, it is ...