ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社は12月16日、世界初という2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術の開発に成功したと発表した。スマートフォン撮影などにおける“高画質化”の実現に寄与するものとしている。12月11日から開催 ...

Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology is a vital part of modern electronics, used in designing and manufacturing integrated circuits (ICs) that power many digital devices. CMOS ...

産業技術総合研究所(産総研)らによる研究グループは、Siに比べ高い移動度を有するIII-V族化合物半導体とGe をチャネルに採用した次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタを開発したことを発表した。従来のSiトランジスタでは性能向上に限界があり、200%以上の ...

次世代CMOSロジックは立体化と極薄チャンネル化で1nm時代へ 本コラムの前回でお伝えしたように、半導体のデバイス技術とプロセス技術に関する世界最大の国際学会「IEDM(International Electron Devices Meeting)(通常の呼称は「アイイーディーエム」、日本語の通称は ...

2023年12月9日～13日までサンフランシスコで開催されたIEEE(米国電気電子学会)国際電子デバイス会議(IEDM)で、Intel・Samsung・TSMCがCMOSメモリを小型化するための技術「CFET(相補型電界効果トランジスタ)」のデモをそれぞれ公開しました。 Intel, Samsung, and TSMC Demo 3D ...

これらのCMOS Static論理回路は直流電流の流れる通路が存在せず、通常は電力を消費しない。しかし、次の図1.10のように、出力Xに静電容量(一般に容量と略す)が付くと、容量を充放電するときに一時的に電流が流れる。 図1.10で出力Xが0Vの状態から ...

高い移動度を有するIII-V族化合物半導体とゲルマニウム (Ge) をチャネルに採用した次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタを世界で初めて実現しました。従来のシリコン (Si) トランジスタでは性能向上に限界があり、200%以上の性能向上は困難でしたが、今回のIII ...

Naoki Yokoyama (Leader), Shu Nakaharai (Specified Concentrated Research Specialist), and others, Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), the Nanoelectronics Research Institute ...

Tokyo, Japan -- Feb 4, 2008 -- Fujitsu Laboratories, Ltd. today announced the development of a millimeter-waveband power amplifier (PA) using standard 90nm CMOS process technology. Targeting ...